GaN器件(D-mode/E-mode)工艺制造

GaN增加型、耗尽型

增强型的氮掺杂pGaN

GaN与铝+氮AI GaN工艺设计

晶格应力

费米能级能量沟槽

高电子迁移率GaN开关管制造

GaN HEMT与MOS的工艺制造

GaN HEMT是基于AlGaN/GaN异质结，采用Si或者SiC作为异质衬底，制造生产MOS与GaN HEMT

MOS材料

增加型MOS

耗尽型MOS

GaN材料

增加型GaN

耗尽型GaN